[发明专利]基于接触印刷转移的表面传导场发射电子源的制作方法有效
| 申请号： | 201210117860.4 | 申请日： | 2012-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN102623278A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 周雄图;郭太良;张永爱;叶芸;李福山;胡利勤;胡海龙;曾祥耀 | 申请（专利权）人： | 福州大学 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J1/304;B82Y10/00;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 福州元创专利商标代理有限公司 35100 | 代理人： | 蔡学俊 |
| 地址： | 350001 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于接触印刷转移的表面传导场发射电子源的制作方法，包括以下步骤：第一步，制作场发射电子源电极；第二步，制备用于接触印刷表面传导场发射电子源的硅橡胶模板；第三步，在硅橡胶模板上制作场发射电子源薄膜，硅橡胶模板吸附有机气体膨胀，产生几纳米到几十纳米宽的裂痕；第四步，在制作场发射电子源电极的平面绝缘基板上自组装一层(3-巯基丙基)三甲氧基硅烷偶联剂；第五步，把第四部制成的具有裂痕的场发射电子发射源薄膜接触印刷在第五步形成的场发射电子源电极上，最终制成表面传导场发射电子源。其中，场发射电子源电极的制备也可以放在最后完成。该场发射电子源制作方法简单，又可有效避免场发射电子源的破坏和污染。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 接触 印刷 转移 表面 传导 发射 电子 制作方法 | ||
【主权项】：
一种基于接触印刷转移的表面传导场发射电子源的制作方法，其特征在于包括以下步骤：第一步，在一平面绝缘基板上制作场发射电子发射电极阵列；第二步，制备用于接触印刷表面传导场发射电子源的硅橡胶模板；第三步，在所述硅橡胶模板一面采用物理、化学方法制作场发射电子源薄膜；再把制备有场发射电子源薄膜的硅橡胶模板置于有机气体中，硅橡胶模板吸附有机气体膨胀，导致场发射电子发射源薄膜龟裂，产生几纳米到几百纳米宽的裂痕；第四步，在制作有场发射电子源电极阵列的平面绝缘基板上自组装一层(3‑巯基丙基)三甲氧基硅烷偶联剂；第五步，把第三步制成的具有裂痕的场发射电子发射源薄膜接触印刷在第四步形成的场发射电子源电极上，最终制成表面传导场发射电子源。
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