[发明专利]片式熔断器的制作方法及该片式熔断器

摘要

本发明公开了一种片式熔断器的制作方法及该片式熔断器，该方法包括：在陶瓷基片背面印刷背电极，然后在845℃～855℃温度下烧结40分钟～45分钟；在烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷绝缘层，然后在905℃～915℃的高温下烧结40分钟～45分钟；在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷熔断体，将印有熔断体的陶瓷基片在845℃～855℃温度下烧结40分钟～45分钟；在烧结好熔断体的陶瓷基片上按常规方法印刷三层高温包封玻璃浆料和高温标识，然后进行595℃～605℃高温烧结40分钟～45分钟；一次裂片，保证端电极将背电极和熔断体表电极联通；二次裂片、及电镀。本发明缩短了制作工序及时间，极大的提高了工作效率，且提高了产品合格率，具有较高的可靠性。

主权项

一种片式熔断器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：背电极制作：在陶瓷基片背面印刷背电极，保证印刷的背电极干燥后的膜层厚度达到13微米～17微米，然后在845℃～855℃温度下烧结；绝缘层制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷一层绝缘浆料，然后在905℃～915℃的高温下烧结40分钟～45分钟；熔断体制作：在已经烧结好背电极的陶瓷基片正面印刷熔断体，该熔断体的浆料由银浆和金浆分别配制而成；烧结：将印有熔断体的陶瓷基片在845℃～855℃温度下烧结40分钟～45分钟；制作包封层：在烧结好熔断体的陶瓷基片上按常规方法印刷三层高温包封玻璃浆料和高温标识，然后进行595℃～605℃高温烧结40分钟～45分钟；一次裂片：将高温烧结固化好的陶瓷基片按常规方法一次裂片，并在裂片条的端面溅射端电极，保证端电极将背电极和熔断体表电极联通；二次裂片：按常规方法进行二次裂片；电镀：对二次裂片后的陶瓷基片依次镀镍、镀锡，保证镍层厚度为3微米～10微米，锡层厚度为3微米～16微米。