[发明专利]增强型开关器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210118172.X | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102709321A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 程凯 | 申请（专利权）人： | 程凯 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215124 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及增强型开关器件及其制作方法。该方法包括：提供一衬底，在上述衬底上形成氮化物晶体管结构；在上述氮化物晶体管结构上制作形成介质层，其上定义有栅极区域；在上述栅极区域上形成凹槽结构；在上述凹槽内沉积p型半导体材料；去除上述介质层上栅极区域之外的p型半导体材料；在上述介质层上栅极区域之外的位置刻蚀该介质层，以形成两处欧姆接触区域；在上述两处欧姆接触区域上分别形成源电极和漏电极。本发明还公开了一种增强型开关器件。通过在氮化物晶体管结构上生成介质层，并在该介质层栅极处生成凹槽结构，并在凹槽内设置p型半导体材料，达到夹断栅极下方n型导电层以及控制阈值电压的目的，以实现增强型开关器件。 | ||
| 搜索关键词： | 增强 开关 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种增强型开关器件，其特征在于，包括：衬底；设于所述衬底上的氮化物晶体管结构形成于所述氮化物晶体管结构上的介质层，所述介质层上定义有栅极区域，及分别位于上所述栅极区域两侧的两处欧姆接触区域，该两处欧姆接触区域分别贯穿上所述介质层；形成于所述栅极区域且至少部分贯穿所述介质层的凹槽；形成于所述凹槽内的p型半导体材料；位于所述两处欧姆接触区域的源电极和漏电极。
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