[发明专利]一种小型化的功率增益均衡器

摘要

本发明涉及一种小型化的功率增益均衡器，包括从上到下依次层叠的微带层、第一介质层、第一金属层、第二介质层、第二金属层、第三介质层和第三金属层；所述第一金属化通孔穿过第一过孔与第一金属化沉孔相接形成探针结构，该探针结构顶部与第一金属连接板相接；所述第三金属化通孔穿过第三过孔与第二金属化沉孔相接形成探针结构，该探针结构顶部与第三金属连接板相接；所述第二金属化通孔穿过第一过孔与金属化通孔相接，再穿过过孔与金属化沉孔相接形成探针结构，该探针结构顶部与第一金属连接板相接。其有益效果：采用低温共烧陶瓷技术将谐振腔埋置在多层介质基板中，并用立体的错层排列方式减小了平面所占体积，实现了小型化的目的。

主权项

一种小型化的功率增益均衡器，包括从上到下依次层叠的微带层(1)、第一介质层(2)、第一金属层(3)、第二介质层(4)、第二金属层(5)、第三介质层(6)和第三金属层(7)；所述微带层(1)包括传输线主线(10)、第一薄膜电阻(11)、第二薄膜电阻(12)、第三薄膜电阻(13)、第一金属连接板(14)、第二金属连接板(15)和第三金属连接板(16)，所述第一薄膜电阻(11)、第二薄膜电阻(12)、第三薄膜电阻(13)分别与第一金属连接板(14)、第二金属连接板(15)和第三金属连接板(16)连接后依次排列连接在传输线主线(10)上；所述第一介质层(2)包括第一介质基板(20)、第一金属化通孔(21)、第二金属化通孔(22)和第三金属化通孔(23)，所述第二金属化通孔(22)位于介质基板(20)中心，第一金属化通孔(21)和第三金属化通孔(23)分别位于第二金属化通孔(22)两侧；所述第一金属层(3)包括虚拟金属板(30)、第一过孔(31)、第二过孔(32)和第三过孔(33)，所述第二过孔(32)位于虚拟金属板(30)中心，第一过孔(31)和第三过孔(33)分别位于第二过孔(32)两侧；所述第二介质层(4)包括第二介质基板(40)、第一谐振腔腔壁(41)、第二谐振腔腔壁(42)、第一金属化沉孔(43)、金属化通孔(44)和第二金属化沉孔(45)，所述第一谐振腔腔壁(41)包括从上往下依次层叠的第一金属化通孔阵列(410)、第一金属导带(411)、第二金属化通孔阵列(412)、第二金属导带(413)和第三金属化通孔阵列(414)；所述第二谐振腔腔壁(42)包括从上往下依次层叠的第一金属化通孔阵列(420)、第一金属导带(421)、第二金属化通孔阵列(422)、第二金属导带(423)和第三金属化通孔阵列(424)，所述金属化通孔(44)位于第二介质基板(40)中心，第一谐振腔腔壁(41)和第二谐振腔腔壁(42)分别位于金属化通孔(44)两侧且埋置在第二介质基板(40)中，所述第一金属化沉孔(43)和第二金属化沉孔(45)分别位于第一谐振腔腔壁(41)和第二谐振腔腔壁(42)的正中心，所述金属化通孔阵列(410、412、414)是沿着矩形外圈排列，相邻两金属化通孔阵列间的金属化过孔的孔间间距是同层金属化过孔孔间间距的一半；所述第二金属层(5)包括虚拟金属板(50)、过孔(51)，所述过孔(51)位于虚拟金属板(50)中心；所述第三介质层(6)包括第三介质基板(60)、金属化沉孔(61)和谐振腔腔壁(62)，所述谐振腔腔壁(62)包括从上往下依次层叠的第一金属化通孔阵列(620)、第一金属导带(621)、第二金属化通孔阵列(622)、第二金属导带(623)和第三金属化通孔阵列(624)，所述谐振腔腔壁(62)埋置在第三介质基板(60)中，金属化沉孔(61)位于谐振腔腔壁 (62)中心；所述第三金属层(7)包括金属板(70)；所述第一金属化通孔(21)穿过第一过孔(31)与第一金属化沉孔(43)相接形成探针结构，该探针结构顶部与第一金属连接板(14)相接；所述第三金属化通孔(23)穿过第三过孔(33)与第二金属化沉孔(45)相接形成探针结构，该探针结构顶部与第三金属连接板(16)相接；所述第二金属化通孔(22)穿过第一过孔(32)与金属化通孔(44)相接，再穿过过孔(51)与金属化沉孔(61)相接形成探针结构，该探针结构顶部与第一金属连接板(15)相接。