[发明专利]在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法无效
| 申请号： | 201210119276.2 | 申请日： | 2012-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN102638000A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 于红艳;周旭亮;邵永波;袁丽君;王宝军;潘教青;王圩 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01S5/20 | 分类号： | H01S5/20;H01S5/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法，包括如下步骤：在SOI片最上的硅层上刻蚀出硅波导和两侧的硅挡墙结构；在硅波导上横向刻蚀出多个沟槽；在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，形成SOI波导结构；在一衬底上生长III-V族半导体激光器结构；在N、P面制作金属电极；在形成的激光器结构N面金属电极上光刻腐蚀出光耦合窗口，形成键合激光器结构；将SOI波导结构和键合激光器结构键合到一起。本发明中通过采用普通光刻和反应离子刻蚀(RIE)方法在硅波导上制作一定尺寸的沟槽来实现单模激射，具有低成本、工艺简单、宽温度工作范围、高可靠性等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 波导 上刻槽 制备 混合 激光器 方法 | ||
【主权项】：
一种在硅波导上刻槽制备硅基混合激光器的方法，包括如下步骤：步骤1：在SOI片最上的硅层上刻蚀出硅波导和两侧的硅挡墙结构；步骤2：在所制作的硅波导上横向刻蚀出多个沟槽；步骤3：采用金属剥离方法，在所制作的两个硅挡墙远离硅波导的外侧区域蒸发金属层，形成SOI波导结构；步骤4：在一衬底上采用MOCVD的方法生长III‑V族半导体激光器结构；步骤5：在III‑V族半导体激光器结构的N面制作金属电极，P面制作金属电极；步骤6：在形成的激光器结构N面金属电极上光刻腐蚀出光耦合窗口，形成键合激光器结构；步骤7：将SOI波导结构和键合激光器结构，采用选区金属键合的方法，键合到一起，完成硅基混合激光器的制备。
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