[发明专利]发光二极管及其制作方法有效
| 申请号： | 201210119410.9 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102629652A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 黄少华;吴志强 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有n型渐变缓冲层的发光二极管及其制作方法。其中，一种发光二极管的外延结构，包括：生长衬底；n型渐变缓冲层，位于所述生长衬底之上；n型限制层，位于所述n型渐变缓冲层之上；有源层，位于所述n型限制层上；p型限制层，位于所述有源层上。本发明利用离子植入法将缓冲层转化为n型渐变缓冲层，在保证获得高质量的外延结构的同时，其应用于垂直结构的发光二极管芯片，能够有效降低接触阻抗。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管的外延结构，其包括：生长衬底；n型渐变缓冲层，位于所述生长衬底之上；n型半导体层，位于所述n型渐变缓冲层之上；有源层，位于所述n型半导体层上；p型半导体层，位于所述有源层上。
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