[发明专利]红外上转换成像或探测器件及其实现方法无效
申请号: | 201210119454.1 | 申请日: | 2012-04-23 |
公开(公告)号: | CN102646747A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 刘惠春;沈文忠;杨耀 | 申请(专利权)人: | 上海交通大学 |
主分类号: | H01L31/147 | 分类号: | H01L31/147;H01L31/0304;H01L31/18 |
代理公司: | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人: | 胡晶 |
地址: | 200240 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种集成红外上转换成像或探测器件及其实现方法,它基于红外光子频率上转换的原理,将红外光信号转换为近红外光子,然后利用硅基红外探测和成像器件实现探测和成像。本发明所提供的器件和实现方法,能够大大降低红外探测和成像的成本。除此之外,与一般的红外上转换探测和成像器件相比较,本发明的上转换效率显著提高,同时还具备结构简单、体积小、成本低等优点。 | ||
搜索关键词: | 红外 转换 成像 探测 器件 及其 实现 方法 | ||
【主权项】:
一种红外上转换成像或探测器件,其特征在于,主要包括红外上转换器件和硅基光电探测或成像器件两部分组成:其中红外上转换器件将红外光信号转换为近红外光子;上述上转换得到的近红外光子由硅基光电探测或成像器件进行接收探测;红外上转换器件和硅基光电探测或成像器件集成为一个整体,经红外上转换器件上转换而获得的近红外光子可以直接耦合进入硅基光电探测或成像器件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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