[发明专利]一种制备GaN生长用图形化蓝宝石衬底的方法

摘要

本发明公开了一种制备GaN生长用图形化蓝宝石衬底的方法。首先，在蓝宝石衬底上制备一层SiO2薄膜，以图形化光刻胶为掩膜，利用BOE溶液蚀刻SiO2，形成到二氧化硅掩膜图形；然后再湿蚀刻蓝宝石衬底，得到图形化蓝宝石衬底，其特征在于，在用BOE溶液蚀刻SiO2前，将衬底放入特定的缓冲液中浸泡进行预处理，从而有效解决了BOE溶液蚀刻裸露的SiO2时出现的不均匀现象，避免SiO2掩膜局部脱落，形成均匀、规则的SiO2掩膜，使得后续工艺制备的蓝宝石图形也很均匀，为外延生长提供一个外观完美、均匀的图形化蓝宝石衬底，有效提高外延生长质量，大大减少位错密度。

主权项

一种制备图形化蓝宝石衬底的方法，包括以下步骤：1)在C面蓝宝石衬底上制备一层二氧化硅薄膜；2)在二氧化硅薄膜上光刻形成图形化光刻胶掩膜；3)将步骤2)得到的衬底放入质量百分比浓度为1.5‑4％的氢氟酸溶液中，在20～50℃浸泡20‑50秒，取出进行步骤4)；4)将衬底放入BOE溶液中蚀刻去光刻胶掩膜图形间隙裸露的二氧化硅，然后去除光刻胶，形成图形化二氧化硅掩膜；5)在图形化二氧化硅掩膜保护下，利用酸腐蚀液蚀刻蓝宝石衬底，得到图形化蓝宝石衬底；6)湿蚀刻去除二氧化硅掩膜。