[发明专利]一种发光二极管外延材料结构有效
| 申请号： | 201210120680.1 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102623595A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 贾海强;陈弘;王文新;江洋;马紫光;王禄;李卫 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人： | 王艺 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开一种LED外延材料结构，该结构包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括一个或多个基本周期性结构，所述基本周期性结构包括相邻的宽阱和宽垒，所述宽阱包括第一耦合阱和第二耦合阱，所述第一耦合阱和第二耦合阱均为窄阱，所述第一耦合阱和第二耦合阱之间有共同的窄垒以实现电子和空穴的隧穿耦合。本发明采用的宽窄阱复合结构同时实现了俘获大量载流子和辐射复合效率高两种效果，能够显著提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光二极管 外延 材料 结构 | ||
【主权项】：
一种发光二极管(LED)外延材料结构，其特征在于，包括多量子阱有源层，所述多量子阱有源层包括一个或多个所述基本周期性结构，所述基本周期性结构包括相邻的宽阱和宽垒，所述宽阱包括第一耦合阱和第二耦合阱，所述第一耦合阱和第二耦合阱均为窄阱，所述第一耦合阱和第二耦合阱之间有共同的窄垒以实现电子和空穴的隧穿耦合。
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