[发明专利]碳化硅镁砖无效
| 申请号： | 201210120703.9 | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103030408A | 公开（公告）日： | 2013-04-10 |
| 发明（设计）人： | 李洪义;唐家彬 | 申请（专利权）人： | 大石桥市中建镁砖有限公司 |
| 主分类号： | C04B35/66 | 分类号： | C04B35/66;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 115100 辽宁省*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 一种以碳化硅与镁砂为主要原料的碳化硅镁砖的生产方法。其特点是将碳化硅、镁砂、粘合剂混合、搅拌后，经压制成型，高温培烧而得到的一种耐火砖。本发明与现有技术相比较有如下优点：1、无污染：由于本耐火材料中不含铬等污染环境的有害物质，故符合环保要求；2、造价低廉：由于碳化硅、氧化镁等原料都是当地的资源，故节省运费；3、寿命长：由于本发明所得的产品是在还原气氛下制得的，故在炼钢、炼铁炉中本产品的寿命远比铁镁耐火砖长。除此之外，本发明的产品还有导热系数小、保温性能好、节能等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 镁砖 | ||
【主权项】：
一种碳化硅镁砖的生产方法，其特征在于：它是将碳化硅(SiC)原料20‑40份，镁砂(MeO)原料60‑80份，粘合剂2‑5份送入配料搅拌罐内，在常温、常压下搅拌15‑30分钟；之后，送入制砖机模具内，在每平方厘米两顿的压力下压制成型；之后送入隧道窑内，在还原气氛中、在1550‑1650摄氏温度下陪烧2.5‑3.5小时：之后出窑、入库。
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