[发明专利]基于单面铝基电路板的三相电机驱动用功率模块有效

专利信息
申请号: 201210120941.X 申请日: 2012-04-24
公开(公告)号: CN102638190A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 李兴全;程英伟;张大明;金磊;伏思燕 申请(专利权)人: 锦州海伯伦汽车电子有限公司
主分类号: H02M7/48 分类号: H02M7/48
代理公司: 锦州辽西专利事务所 21225 代理人: 李辉
地址: 121000 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 一种基于单面铝基电路板的三相电机驱动用功率模块,包括铝基电路板,其特殊之处是:铝基电路板单面焊接单相上、下桥结构的逆变电路,逆变电路的单相上桥为多个并联的MOSFETQ1,单相下桥为多个并联的MOSFETQ2,MOSFETQ1的漏极汇集区处设置电源正极接线柱B+,MOSFETQ2的源极汇集区处设置电源负极接线柱B-,MOSFETQ1的源极和MOSFETQ2的漏极汇集区设置接线柱U,在铝基电路板边缘与接线柱U对应处设有电动机相线接线柱U′,并通过导电铜排与电动机相线接线柱U′相连,导电铜排上设置电流传感器。其集成了电流传感器功能,整体结构紧凑,体积小,成本低。
搜索关键词: 基于 单面 电路板 三相 电机 驱动 用功 模块
【主权项】:
一种基于单面铝基电路板的三相电机驱动用功率模块,包括铝基电路板,其特殊之处是:所述铝基电路板单面焊接单相上、下桥结构的逆变电路,逆变电路的单相上桥为多个并联的MOSFET Q1,逆变电路的单相下桥为多个并联的MOSFET Q2,所述MOSFET Q1与MOSFET Q2数量相等,所述MOSFET Q1的漏极汇集区处设置电源正极接线柱B+,所述MOSFET Q2的源极汇集区处设置电源负极接线柱B-,所述MOSFET Q1的源极和MOSFET Q2的漏极汇集区设置接线柱U,在所述铝基电路板边缘与接线柱U对应处设有电动机相线接线柱U′,所述接线柱U和电动机相线接线柱U′通过导电铜排相连,所述导电铜排上设置电流传感器。
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