[发明专利]沟槽绝缘栅双极型晶体管的制造方法

摘要

本发明提供一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的制造方法，通过在欲形成沟槽位置的半导体衬底上形成鸟嘴型氧化层，所述鸟嘴型氧化层中间厚两端薄，且鸟嘴型氧化层的两端延伸至所述沟槽两侧刻蚀阻挡层下方，在刻蚀所述沟槽之后，所述沟槽的上边沿能够形成圆弧形貌，从而使沟槽具有圆滑顶边沿。具有圆滑顶边沿的沟槽不仅易于实现后续沟槽中多孔硅层的填充和爬出，并且可避免尖锐顶角引起过量电荷聚集，引起击穿失效；并且在沟槽中填充多孔硅层之前，对所述半导体衬底表面进行旋转角度离子注入，以对沟槽内大角度注入，有利于对平面图形中拐角处掺杂浓度进行补偿，从而提高半导体器件性能。

主权项

一种沟槽绝缘栅双极型晶体管的制造方法，包括提供半导体衬底，在所述半导体衬底上包括元胞区域和终端区域；在所述半导体衬底上生长热场氧薄膜，刻蚀部分所述热场氧薄膜，以在所述终端区域上形成斜坡热场氧层；在所述半导体衬底及斜坡热场氧层上形成刻蚀阻挡层和阻挡氧化层，刻蚀部分刻蚀阻挡层和阻挡氧化层，以暴露部分半导体衬底；进行热氧化工艺，以在所述暴露的部分半导体衬底上形成鸟嘴型氧化层；以所述刻蚀阻挡层和阻挡氧化层为掩膜，进行刻蚀工艺，以在半导体衬底中形成沟槽；去除所述鸟嘴型氧化层及剩余的阻挡氧化层和刻蚀阻挡层，沟槽具有圆滑顶边沿；进行旋转角度离子注入，以所述半导体衬底所在面的法线为旋转轴，围绕所述旋转轴360度均分多个注入方向，且每次注入方向均与所述半导体衬底所在面都保持相同的倾角。