[发明专利]硬掩膜层结构及低K介质层刻蚀方法有效
| 申请号： | 201210121121.2 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103377884A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 符雅丽;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种硬掩膜层结构及低K介质层刻蚀方法，通过使用氮化亚铜(Cu3N)硬掩膜层，避免现有低K介质刻蚀技术中无机TixFy残留物的形成，且氮化亚铜(Cu3N)硬掩膜层易于移除，从而抑制了后续铜电镀工艺中的孔洞缺陷的形成，改善了器件电迁移和和可靠性，提高了产品良率；进一步的，通过刻蚀后的氮气处理工艺在低K介质层的刻蚀内壁上形成阻挡层，缓和了低K介质层和氮化亚铜(Cu3N)硬掩膜层的湿法腐蚀选择比差异，避免低K介质层在湿法腐蚀移除氮化亚铜(Cu3N)硬掩膜层时受损，有效增大低K介质层的刻蚀后的工艺窗口。 | ||
| 搜索关键词： | 硬掩膜层 结构 介质 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
一种硬掩膜层结构，包括金属硬掩膜层，其特征在于，所述金属硬掩膜层为氮化亚铜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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