[发明专利]多栅极场效应晶体管鳍状结构的制造方法有效
| 申请号： | 201210121162.1 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103378005A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种多栅极场效应晶体管鳍状结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，包括P型区和N型区；在N型区上形成第一掩膜层，在所述半导体衬底上形成硅锗层；去除所述第一掩膜层；在P型区和N型区上形成第二掩膜层；刻蚀所述第二掩膜层，形成P型区沟槽和N型区沟槽；在P型区沟槽和N型区沟槽中填充硅层；去除P型区沟槽和N型区沟槽以外的硅层，并进行回刻蚀工艺；在所述P型区沟槽和N型区沟槽中形成第三掩膜层；去除第二掩膜层，形成P型区鳍状结构和N型区鳍状结构。通过分别在P型区和N型区上形成P型区鳍状结构和N型区鳍状结构，从而能够形成应力不同的P型区鳍状结构和N型区鳍状结构，工艺方法简单，降低制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 场效应 晶体管 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种多栅极场效应晶体管鳍状结构的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括P型区和N型区；在所述N型区上形成第一掩膜层，并在所述P型区上形成硅锗层；去除所述第一掩膜层；在所述P型区和N型区上覆盖第二掩膜层；刻蚀所述第二掩膜层，以在所述第二掩膜层中形成P型区沟槽和N型区沟槽；进行外延生长工艺，以在所述P型区沟槽和N型区沟槽中填充硅层；利用化学机械研磨去除所述P型区沟槽和N型区沟槽以外的硅层，并进行回刻蚀工艺；在所述P型区沟槽和N型区沟槽中的硅层上形成第三掩膜层；去除所述第二掩膜层，以在所述P型区沟槽和N型区沟槽上分别形成P型区鳍状结构和N型区鳍状结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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