[发明专利]半导体器件的制造方法在审
| 申请号： | 201210121172.5 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN103377936A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;肖海波;平延磊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件的制造方法，通过在去除栅极的侧壁的栅极侧墙之后，再覆盖于应力层，从而使应力层更加靠近N型栅极，从而使应力层充分地施加于N型栅极上；同时，针对半导体器件的NFET和PFET采用的应力不同，分别在所述N型区上形成拉应力层，避免了拉应力层对P型区的影响，在所述P型区上形成压应力层，避免了压应力层对N型区的影响，从而提高了NFET和PFET中的迁移速率，进而提高了半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括P型区和N型区；在所述P型区上形成P型栅极和位于P型栅极两侧的P型栅极侧墙，在所述N型区上形成N型栅极和位于N型栅极两侧的N型栅极侧墙；去除所述N型栅极侧墙；在所述N型区上依次形成拉应力层和掩膜层；去除所述P型栅极侧墙；以及在所述P型区上覆盖压应力层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
