[发明专利]亚微米级自支撑聚酰亚胺薄膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201210122015.6 | 申请日： | 2012-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN102627258A | 公开（公告）日： | 2012-08-08 |
| 发明（设计）人： | 胡渭;陈田祥;孙庆荣;陈勇;徐玉朋;卢方军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院高能物理研究所 |
| 主分类号： | B81C99/00 | 分类号： | B81C99/00;B81B1/00 |
| 代理公司： | 北京市惠诚律师事务所 11353 | 代理人： | 雷志刚;潘士霖 |
| 地址： | 100049 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及亚微米级自支撑聚酰亚胺薄膜及其制备方法，该方法主要包括如下步骤：在基片上制备聚酰亚胺薄膜层；在聚酰亚胺薄膜层上获得光刻胶图形，然后沉积金属种子层，在金属种子层上电镀金属层，形成金属框，然后在金属框的支撑下将金属框和聚酰亚胺薄膜层一同从基片上剥离，再将聚酰亚胺薄膜层与金属框分离获得亚微米级自支撑聚酰亚胺薄膜。本发明的制备方法由于在聚酰亚胺薄膜上镀上了一层质地相对聚酰亚胺薄膜硬的金属框，便于将聚酰亚胺薄膜从基片上剥离，而不会破坏聚酰亚胺薄膜的结构，能够获得均匀性好、面积大、缺陷少的亚微米级自支撑聚酰亚胺薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 微米 支撑 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种亚微米级自支撑聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(a)在基片上形成亚微米级聚酰亚胺薄膜层；(b)在完成步骤(a)的基片上的亚微米级聚酰亚胺薄膜层上旋涂光刻胶，并通过微纳米加工工艺形成光刻胶图形；(c)在完成步骤(b)的基片上的聚酰亚胺薄膜层及光刻胶图形上沉积60～100纳米厚的金属种子层；(d)从完成步骤(c)的基片上剥离剩余光刻胶；(e)在完成步骤(d)的基片上的金属种子层上电镀金属层，形成金属框，所述金属层和金属种子层的总厚度为200～500微米；(f)将金属框连带亚微米级聚酰亚胺薄膜层一起与基片剥离，得到亚微米级金属框支撑亚微米级聚酰亚胺薄膜；(g)将金属框与亚微米级聚酰亚胺薄膜层分离，获得亚微米级自支撑聚酰亚胺薄膜。
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