[发明专利]一种具有倾斜量子阱结构的氮化镓半导体发光二极管无效
| 申请号： | 201210122375.6 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102623596A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 李文兵;王江波;董彬忠;杨春艳 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/30 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有倾斜量子阱结构的氮化镓半导体发光二极管，通过能带工程设计，将铟镓氮量子阱设计为倾斜的结构，从而调制阱的禁带宽度。本发明能克服量子阱内极化效应产生的极化电场，使电子和空穴的分布更加均匀，从而提高发光二极管的量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 倾斜 量子 结构 氮化 半导体 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有倾斜量子阱结构的氮化镓半导体发光二极管，该发光二极管外延结构从下向上依次为：一层低温氮化镓层、一层N型氮化镓层、数对铟镓氮和氮化镓的量子阱结构、一层铝镓氮电子阻挡层、一层P型氮化镓层、一层P型氮化镓盖层；其特征在于：所述铟镓氮量子阱内铟组分从靠近N型的垒层往靠近P型的垒层之方向，铟的组分是逐渐递减的。
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