[发明专利]太阳能建筑一体化的旁路二极管和接线结构无效
| 申请号： | 201210122460.2 | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103378198A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 吴伟 | 申请（专利权）人： | 上海艾能电力工程有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/048 | 分类号： | H01L31/048;E04D13/18 |
| 代理公司： | 上海硕力知识产权代理事务所 31251 | 代理人： | 刘峰 |
| 地址： | 201201 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种太阳能建筑一体化的旁路二极管和接线结构，设置在太阳能电池板的背光侧；其特征在于：包括接线管和连接结构，旁路二极管和接线设置在所述接线管中。本发明的太阳能建筑一体化的旁路二极管和接线结构，将旁路二极管和接线盒隐藏在建筑的幕墙结构中，用途非常广泛。无论是光伏建筑一体化，还是普通的太阳能发电装置，这种结构都具有结构简单，易于实现，安装操作便利等优点，还能使建筑更为美观。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能 建筑 一体化 旁路 二极管 接线 结构 | ||
【主权项】：
一种太阳能建筑一体化的旁路二极管和接线结构，设置在太阳能电池板的背光侧；其特征在于：包括接线管和连接结构，旁路二极管和接线设置在所述接线管中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
