[发明专利]导电元件的制备装置及制备方法有效
申请号: | 201210122625.6 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN103377774A | 公开(公告)日: | 2013-10-30 |
发明(设计)人: | 冯辰;潜力;王昱权 | 申请(专利权)人: | 北京富纳特创新科技有限公司 |
主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B5/14;H01B1/04 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100084 北京市海*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种导电元件的制备方法,其主要包括提供所述初始碳纳米管膜以及一基底;依次图案化处理或溶剂处理所述初始碳纳米管膜形成一碳纳米管层;以及将所述基底与所述碳纳米管层层叠设置并通过一对压辊之间,经过该一对压辊之后,所述基底与碳纳米管层压合在一起形成所述导电元件。本发明还提供一种上述导电元件的制备装置。 | ||
搜索关键词: | 导电 元件 制备 装置 方法 | ||
【主权项】:
一种导电元件的制备装置,其包括:一初始碳纳米管膜供给单元,该初始碳纳米管膜供给单元用于连续提供一初始碳纳米管膜;一图案化处理单元,该图案化处理单元用于在所述初始碳纳米管膜上进行图案化处理,使该初始碳纳米管膜形成至少一行通孔,且每行上至少有两个间隔设置的通孔;一溶剂处理单元,该溶剂处理单元用于对经过图案化处理的初始碳纳米管膜进行溶剂处理,使该经过图案化处理的初始碳纳米管膜收缩形成一碳纳米管层;一基底供给单元,该基底供给单元用于连续提供一基底;一碾压单元,该碾压单元用于连续地将所述碳纳米管层及基底重叠设置并压合在一起,形成所述导电元件;一收集单元,该收集单元用于收集所述导电元件。
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