[发明专利]一种电压可调的磁阻变随机存储单元及其随机存储器有效
| 申请号： | 201210122708.5 | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN102683581A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 南策文;胡嘉冕;李峥;陈龙庆 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/10;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 史双元 |
| 地址： | 100084 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提出一种电压可调的磁阻变随机存储单元，包括：底电极层；形成在底电极层之上的铁电氧化物层；形成在铁电氧化物层之上的磁性层，其中，磁性层和底电极层分别作为铁电氧化物层的上下电极而对铁电氧化物层施加电压，其中电压的方向垂直于铁电氧化物层，铁电氧化物层在电压的作用下可调控磁性层中磁矩的排列，以使得磁性层在设定的测量方向上的电阻发生变化。本发明还提出一种具有所述磁阻变随机存储单元的存储器。本发明能够实现用电压写入信息数据，具有诸如非易失性、写入功耗低、存储密度高等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电压 可调 磁阻 随机 存储 单元 及其 存储器 | ||
【主权项】：
一种电压可调的磁阻变随机存储单元，其特征在于，包括：底电极层；形成在所述底电极层之上的铁电氧化物层；和形成在所述铁电氧化物层之上的磁性层；其中，所述磁性层和所述底电极层分别作为所述铁电氧化物层的上下电极而对所述铁电氧化物层施加电压，其中所述电压的方向垂直于所述铁电氧化物层，所述铁电氧化物层在所述电压的作用下可调控磁性层中磁矩的排列，以使得所述磁性层在设定的测量方向上的电阻发生变化。
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