[发明专利]一种为存储单元提供稳定电压的系统有效
| 申请号： | 201210122819.6 | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN103377696A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 刘铭;张赛;程莹 | 申请（专利权）人： | 北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/56 | 分类号： | G11C11/56 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 孙皓晨;张爱莲 |
| 地址： | 100083 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种为存储单元提供稳定电压的系统。该系统包括：恒流电路、电流镜、PMOS管MP1、六个NMOS管MN1至MN6；其中，电流镜上电流相同的两端分别与恒流电路的输出端及MP1的源极相连；MP1的栅极与MN6的栅极相连，进而接一使能信号；MP1的漏极分别与MN3的栅极、MN4的漏极、MN5的栅极和漏极、MN6的漏极相连；MN4的栅极分别与MN3的源极以及MN1的漏极相连；MN1的栅极与MN2的栅极均接电源；MN1的源极与MN2的漏极相连；MN2的源极接存储单元；MN4的源极、MN5的源极以及MN6的源极均接地。本发明能向存储单元提供不随电源电压改变的稳定电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 单元 提供 稳定 电压 系统 | ||
【主权项】：
一种为存储单元提供稳定电压的系统，其特征在于，该系统包括：恒流电路、电流镜、P沟道金属氧化物半导体场效应管MP1、六个N沟道金属氧化物半导体场效应管MN1、MN2、MN3、MN4、MN5和MN6；其中，所述电流镜上电流相同的两端分别与所述恒流电路的输出端以及MP1的源极相连；MP1的栅极与MN6的栅极相连，进而接一使能信号；MP1的漏极分别与MN3的栅极、MN4的漏极、MN5的栅极和漏极、MN6的漏极相连；MN4的栅极分别与MN3的源极以及MN1的漏极相连；MN1的栅极与MN2的栅极均接电源；MN1的源极与MN2的漏极相连；MN2的源极接所述存储单元；MN4的源极、MN5的源极以及MN6的源极均接地。
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