[发明专利]一种硅薄膜锂离子电池负电极及其制备方法无效
| 申请号： | 201210122893.8 | 申请日： | 2012-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN102637852A | 公开（公告）日： | 2012-08-15 |
| 发明（设计）人： | 唐阳洋;涂江平;夏新辉;张永起;俞迎霞 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01M4/1395 | 分类号： | H01M4/1395;H01M4/134;H01M4/62 |
| 代理公司： | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人： | 胡红娟 |
| 地址： | 310027 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅薄膜锂离子电池负电极的制备方法，包括：将基片表面进行清洗，得到清洗后的基片；将清洗后的基片置于含钴离子的电解液中，在基片上电沉积钴薄膜；在沉积有钴薄膜的基片上采用磁控溅射法沉积硅薄膜后得到硅薄膜锂离子电池负电极。该方法在基片上先电沉积钴薄膜，再磁控溅射沉积非晶硅薄膜，该制备方法易于实施，操作简便，可操作性强，易于工业化大规模生产。本发明还公开了一种硅薄膜锂离子电池负电极，包括基片、沉积在基片上的钴薄膜以及覆盖在钴薄膜上的硅薄膜，钴薄膜起到了良好的支撑和缓冲以及良好导电性的作用，覆盖在其表面的硅薄膜凹凸的表面对体积变化也起到了良好的缓冲作用，具有优异的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 锂离子电池 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种硅薄膜锂离子电池负电极的制备方法，包括以下步骤：1)将基片表面进行清洗，得到清洗后的基片；2)将清洗后的基片置于含钴离子的电解液中，在基片上电沉积钴薄膜；3)在沉积有钴薄膜的基片上采用磁控溅射法沉积硅薄膜后得到硅薄膜锂离子电池负电极。
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