[发明专利]存储介质,再现方法和记录方法无效
申请号: | 201210123514.7 | 申请日: | 2006-02-22 |
公开(公告)号: | CN102629477A | 公开(公告)日: | 2012-08-08 |
发明(设计)人: | 安东秀夫;柏原裕;小川昭人;丸山纯孝;长井裕士 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G11B7/007 | 分类号: | G11B7/007;G11B7/005;G11B7/246;G11B7/249;G11B20/10;G11B20/12;G11B27/24;G11B27/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 高青 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了存储介质,再现方法和记录方法。BCA包括两个BCA前导部分,两个BCA后同步指令部分,和两个BCA数据区。BCA检错码和BCA纠错码添加到每个BCA数据区。相同的信息项多次记录在两个BCA数据区。即使由于存储介质表面上形成的划痕或灰尘而导致一项数据不能再现,也可以从其它BCA数据区再现数据,提高的数据的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 存储 介质 再现 方法 记录 | ||
【主权项】:
一种配置成用于信息存储介质的材料,包括:光反射层;形成于所述光反射层上的记录层,所述记录层包含未记录部分,所述记录层包括所述材料;以及形成于所述记录层上或上方的透明层,其中,光通过所述透明层入射到所述记录层并被所述光反射层反射,其中,信息能够通过波长405nm的光记录在所述记录层上,其中,被所述光反射层反射并透射通过所述记录层的记录部分的光的强度高于被所述光反射层反射并透射通过所述未记录部分的光的强度,以及其中,所述材料包括以下特性:所述未记录部分中355nm波长处的吸光率不小于所述未记录部分中比405nm长的波长范围内的峰值吸收波长处的吸光率的40%,以及所述峰值吸收波长是所述未记录部分中在比405nm长的波长范围内吸光率最大的波长。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社东芝,未经株式会社东芝许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210123514.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种双层DVI端子连接器
- 下一篇:一种安全插头