[发明专利]有辅助相位区的相移掩模有效
申请号: | 201210123628.1 | 申请日: | 2012-04-25 |
公开(公告)号: | CN102759851B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | R·L·辛赫;W·W·弗莱克 | 申请(专利权)人: | 超科技公司 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26;G03F7/20;H01L33/00;H01L33/22 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 蒋世迅 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 有辅助相位区的相移掩模。一种相移掩模,有棋盘形阵列和包围的子分辨率辅助相位图形。该棋盘形阵列包括有180度相对相位差的交替相移区R。该子分辨率辅助相位区R′驻留在相邻的对应的相移区R,并对该相移区R有180度的相对相位差。该子分辨率辅助相位区R′被配置成当用光刻法形成光刻胶特征时,减轻不需要的边缘效应。使用该相移掩模形成LED的方法也被公开。 | ||
搜索关键词: | 辅助 相位 相移 | ||
【主权项】:
一种供有分辨率极限的光刻成像系统使用的相移掩模,包括:被做成该分辨率极限大小或该分辨率极限以上大小的相移区R的棋盘形阵列,相邻的相移区R有180度的相对相位差,该阵列有周界;和紧邻该周界的至少一部分布置的多个辅助相位区R′,每一辅助相位区R′被做成分辨率极限以下大小并相对于相邻的相移区R有180度的相对相移差。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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