[发明专利]TFT-LCD阵列基板制造方法有效
| 申请号： | 201210124197.0 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102646634A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 曹占锋;刘圣烈;姚琪 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/77 | 分类号： | H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种TFT-LCD阵列基板制造方法，涉及TFT-LCD技术领域。该方法包括步骤：S1.在玻璃基板上形成栅电极信号线以及栅电极，沉积栅电极绝缘层、有源层、及金属层，去除要形成数据线以及源漏电极处之外的金属层；S2.对要形成数据线以及源漏电极处以外的有源层以及光刻胶同时进行有源层刻蚀和光刻胶灰化；S3.进行第二次湿法刻蚀或干刻，形成所需要的沟道及源漏电极；S4.通过N+刻蚀，形成所需要的沟道；S5.形成漏电极部分的钝化层过孔，形成像素电极，并使所述像素电极和漏电极连接。按照本发明的方法制造的阵列基板数据线下方的有源层残留宽度小，且制造工艺时间短，可在提高产能的同时提高产品品质。 | ||
| 搜索关键词： | tft lcd 阵列 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种TFT‑LCD阵列基板制造方法，其特征在于，该方法包括步骤：S1.在玻璃基板上形成栅电极信号线以及栅电极之后，连续沉积栅电极绝缘层、有源层、以及金属层，使用灰度掩模板或半色调掩模板曝光、显影后去除要形成数据线以及源漏电极处之外的金属层；S2.对要形成数据线以及源漏电极处以外的有源层以及光刻胶同时进行有源层刻蚀和光刻胶灰化，显露出沟道内的金属层；S3.进行第二次湿法刻蚀或干刻，去除沟道内的金属层，形成所需要的沟道及源漏电极；S4.通过N+刻蚀，去除沟道内的部分有源层，形成所需要的沟道；S5.在完成步骤S4的基板上形成漏电极部分的钝化层过孔，沉积透明像素电极层，形成像素电极，并使所述像素电极和漏电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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