[发明专利]一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法有效
| 申请号： | 201210125134.7 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102709312A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 康晋锋;王琰;陆自清;刘晓彦 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种氧化物薄膜、薄膜晶体管及其制备方法，涉及薄膜晶体管技术领域。在薄膜晶体管中，氧化物薄膜沟道层的氧化物薄膜的化学通式为In-X-Zn-O，X是Si、Ge、La或者Y元素；栅电极设置在基底上方；栅极绝缘层设置在栅电极以及基底未被栅电极所覆盖的部分的上方；氧化物薄膜沟道层设置在栅极绝缘层的上方；源极区设置在氧化物薄膜沟道层的上方的一侧；漏极区设置在氧化物薄膜沟道层的上方的另一侧。本发明基于In-X-Zn-O的薄膜晶体管，可以增强氧化物薄膜沟道层对于载流子形成的抑制能力，提高晶体的晶化温度以提高器件制备的一致性，减弱氧化物薄膜沟道层对薄膜晶体管阈值电压、漏电流Ioff以及开关比的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 薄膜 薄膜晶体管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种氧化物薄膜，其特征在于，所述氧化物薄膜的化学通式为In‑X‑Zn‑O，其中，X是Si、Ge、La或者Y元素。
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