[发明专利]一种中空二氧化硅颗粒的制备方法无效
| 申请号： | 201210125147.4 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102701218A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 陆亚林;雷志威;刘敏;葛文;王建林 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | C01B33/12 | 分类号： | C01B33/12 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 李玉秋 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种中空二氧化硅颗粒的制备方法，包括以下步骤：a)提供银颗粒模板；b)在所述银颗粒模板上沉积二氧化硅，得到包覆二氧化硅的银颗粒；c)将所述包覆二氧化硅的银颗粒煅烧后保温，得到中空二氧化硅颗粒。本发明以银颗粒为模板，在其上沉积二氧化硅后将得到的包覆二氧化硅的银颗粒进行煅烧，使包裹在二氧化硅中的银颗粒释放在空气中，从而得到中空二氧化硅颗粒。本发明采用的银颗粒模板的形状和尺寸具有良好的可调节性，从而使得本发明制备的中空二氧化硅颗粒的形状和尺寸可同时调节，具有良好的可调性。结果表明，本发明制备的中空二氧化硅颗粒为球形或管形，其直径为30nm～350nm，其壁厚为17nm～50nm。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 中空 二氧化硅 颗粒 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种中空二氧化硅颗粒的制备方法，包括以下步骤：a)提供银颗粒模板；b)在所述银颗粒模板上沉积二氧化硅，得到包覆二氧化硅的银颗粒；c)将所述包覆二氧化硅的银颗粒煅烧后保温，得到中空二氧化硅颗粒。
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