[发明专利]用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法有效
| 申请号： | 201210125531.4 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102779201A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 林以唐;李焯基;陈姝妤;张祐宁;陈小惠;张智胜;陈建文;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了用于根据具有平面晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。分析平面布局，并以匹配方式生成对应的FinFET结构。然后，优化生成的FinFET结构。可以在验证和输出FinFET布局之前生成伪图案和新金属层。本发明还提供了用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 平面设计 转换 finfet 设计 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种生成FinFET结构布局的方法，包括：接收用于集成电路(IC)设计的平面结构布局，所述平面结构布局包括多个平面有源区域；生成多个FinFET有源区域，所述多个FinFET有源区域与所述多个平面有源区域相对应；对于每个FinFET有源区域，使用FinFET有源区域宽度与平面有源区域宽度的指定宽度比计算最优FinFET有源区域宽度；以及根据所述最优FinFET有源区域宽度，在每个FinFET有源区域中生成芯轴。
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