[发明专利]用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法有效
| 申请号： | 201210125532.9 | 申请日： | 2012-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN102760180A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 李焯基;林以唐;陈小惠;张祐宁;陈姝妤;陈建文;张智胜;万幸仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人： | 陆鑫;房岭梅 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 公开了用于根据具有平面晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。分析平面布局，并生成对应的FinFET结构。本发明还提供了用于将平面设计转换为FinFET设计的系统和方法。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 平面设计 转换 finfet 设计 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种用于生成包括FinFET结构布局的集成电路(IC)设计的方法，所述方法包括：接收用于IC设计的平面结构布局，所述平面结构布局包括多个平面有源区域；生成多个FinFET有源区域，其中，每个FinFET有源区域都对应于所述多个平面有源区域中的一个平面有源区域；限定多个FinFET单元，其中，每个FinFET单元均包括一个或多个FinFET有源区域；确定所述多个FinFET单元中的每一个是否对称；以及对于每个对称的FinFET单元，在FinFET单元中生成芯轴以创建内部对称的FinFET有源区域或多于一个的对称FinFET有源区域，所述多于一个的对称FinFET有源区域中的每一个都具有相同数量和位置的芯轴。
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