[发明专利]半导体元件的制作方法

摘要

本发明公开一种半导体元件的制作方法。首先，提供位于基材上的栅极结构，以及位于栅极结构上的第一氮化物材料层。其次，进行一保护步骤，而在含氧环境下改质该第一氮化物材料层。然后，在基材上形成第二材料层。继续，在保护步骤后进行一移除步骤，而在实质上不削减经改质的第一氮化物材料层的条件下，移除第二氮化物材料层。

主权项

一种半导体元件的制作方法，包含：提供一基材，该基材上具有一栅极结构以及围绕该栅极结构的一间隙壁，其中该间隙壁的表面由氮化硅所组成；进行一掺杂步骤，并在一光致抗蚀剂的保护下，在该栅极结构的至少一侧的该基材中形成一浅掺杂漏极；进行一剥除步骤，而在一无氧环境下剥除该光致抗蚀剂；以及在该剥除步骤后进行一保护步骤，而在一含氧环境下改质该间隙壁而得到一改质间隙壁；形成由氮化硅所组成的一材料层覆盖该栅极结构以及该改质间隙壁；在该保护步骤后进行一移除步骤，以移除一材料层，并实质上不影响该改质间隙壁。