[发明专利]CMOS图像传感器有效

专利信息
申请号: 201210127031.4 申请日: 2012-04-27
公开(公告)号: CN102637714A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 田犁;陈杰;汪辉;苗田乐;方娜 申请(专利权)人: 上海中科高等研究院
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;G02F1/133
代理公司: 上海光华专利事务所 31219 代理人: 李仪萍
地址: 201210 *** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种CMOS图像传感器,在感光元件上增加了第一偏振片,具有透明电极结构的液晶层以及第二偏振片,通过控制所述透明电极的电压可以改变之间的液晶排列方式,从而控制光的通断。本发明在像素结构中增加了光通断结构,可以独立地控制每个像素结构的曝光积分时间,可以使所有像素结构或部分像素结构同时曝光或同时停止曝光,从而实现全局曝光功能,并且不会对图像传感器的填充率带来影响,提高了器件的集成度。而且,增加的光通断结构可以代替传统的快门装置,减小了感光器件的体积。
搜索关键词: cmos 图像传感器
【主权项】:
一种CMOS图像传感器,其特征在于,至少包括:光通断结构,包括:第一偏振片;液晶光导结构,包括结合于所述第一偏振片的第一透明导电层、结合于所述第一透明导电层的液晶层以及结合于所述液晶层的第二透明导电层,所述述第一、第二透明导电层用于施加电压以控制所述液晶层的排列方向;第二偏振片,结合于所述液晶光导结构,其偏振方向与所述第一偏振片的偏振方向具有相位差;像素结构,包括结合于所述光通断结构的感光元件及连接于所述感光元件的像素读出电路,用于将所述感光元件产生的电信号进行读出。
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