[发明专利]CMOS图像传感器有效
申请号: | 201210127031.4 | 申请日: | 2012-04-27 |
公开(公告)号: | CN102637714A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 田犁;陈杰;汪辉;苗田乐;方娜 | 申请(专利权)人: | 上海中科高等研究院 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;G02F1/133 |
代理公司: | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人: | 李仪萍 |
地址: | 201210 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种CMOS图像传感器,在感光元件上增加了第一偏振片,具有透明电极结构的液晶层以及第二偏振片,通过控制所述透明电极的电压可以改变之间的液晶排列方式,从而控制光的通断。本发明在像素结构中增加了光通断结构,可以独立地控制每个像素结构的曝光积分时间,可以使所有像素结构或部分像素结构同时曝光或同时停止曝光,从而实现全局曝光功能,并且不会对图像传感器的填充率带来影响,提高了器件的集成度。而且,增加的光通断结构可以代替传统的快门装置,减小了感光器件的体积。 | ||
搜索关键词: | cmos 图像传感器 | ||
【主权项】:
一种CMOS图像传感器,其特征在于,至少包括:光通断结构,包括:第一偏振片;液晶光导结构,包括结合于所述第一偏振片的第一透明导电层、结合于所述第一透明导电层的液晶层以及结合于所述液晶层的第二透明导电层,所述述第一、第二透明导电层用于施加电压以控制所述液晶层的排列方向;第二偏振片,结合于所述液晶光导结构,其偏振方向与所述第一偏振片的偏振方向具有相位差;像素结构,包括结合于所述光通断结构的感光元件及连接于所述感光元件的像素读出电路,用于将所述感光元件产生的电信号进行读出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海中科高等研究院,未经上海中科高等研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201210127031.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种新型药酒酒瓶
- 下一篇:飞机舱门部件运输减震防护装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的