[发明专利]晶圆缺陷检测方法有效
| 申请号： | 201210127237.7 | 申请日： | 2012-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN103377960A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 曾明 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种晶圆缺陷检测方法，包括以下步骤：在待检测晶圆的抛光面上覆盖弱透光性材料层，所述抛光面由化学机械抛光形成；对覆盖弱透光性材料层后的抛光面进行扫描，得到化学抛光液残留物信息。上述晶圆缺陷检测方法，通过在经过化学机械抛光形成的抛光面上覆盖弱透光性材料层，使得在对抛光面的检测中，能够很容易的检测并识别出覆盖化学抛光液残留物区域的弱透光性材料层所反射出来的光信号，从而准确检测出化学抛光液残留物这种缺陷的存在。同时，相对于传统的增大检测设备的敏感度的方法，上述方法可以避免增大检测设备的敏感度所引起的检测信号中噪声的增加，使得检测结果更为可靠。 | ||
| 搜索关键词： | 缺陷 检测 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆缺陷检测方法，其特征在于，包括以下步骤：在待检测晶圆的抛光面上覆盖弱透光性材料层，所述抛光面由化学机械抛光形成；对覆盖弱透光性材料层后的抛光面进行扫描，得到化学抛光液残留物信息。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
