[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210127293.0 | 申请日： | 2006-12-26 |
| 公开（公告）号： | CN102683421A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 细谷邦雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 徐予红;王忠忠 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的课题在于降低接触不良，抑制接触电阻的增大，并且提高开口率。本发明涉及一种液晶显示器件，其具有：衬底；设置在上述衬底上且具有栅极布线、栅极绝缘膜、岛状半导体膜、源极区域、以及漏极区域的薄膜晶体管；设置在上述衬底上且连接到上述源极区域的源极布线；设置在上述衬底上且连接到上述漏极区域的漏电极；设置在上述衬底上的辅助电容；连接到上述漏电极的像素电极；以及覆盖着上述薄膜晶体管及上述源极布线而形成的保护膜，其中，上述保护膜具有开口部分，并且上述辅助电容存在于形成有开口部分的区域。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；设置在上述衬底上的薄膜晶体管，包括：沟道形成区域、源极区域、漏极区域、栅极绝缘膜、以及栅电极；连接到上述栅电极的栅极布线；连接到上述源极区域的源极布线；连接到上述漏极区域的漏电极；设置在上述衬底上的辅助电容；连接到上述漏电极的像素电极；以及覆盖上述薄膜晶体管及上述源极布线的绝缘膜，其中，上述绝缘膜包括一个开口部分，并且上述像素电极和上述辅助电容存在于形成有上述一个开口部分的区域。
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