[发明专利]一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法无效
| 申请号： | 201210127547.9 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102683487A | 公开（公告）日： | 2012-09-19 |
| 发明（设计）人： | 贾河顺;罗磊;任现坤;程亮;姜言森;刘鹏;李玉花;徐振华;王兆光;张春艳;张丽丽;张黎明 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 250103 山东省济*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种晶体硅太阳电池扩散方法，具体涉及一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法，包括以下步骤：1.晶硅表面制绒；2.非受光面印刷磷浆；3.烘干；4.非受光面面对面紧贴，两两一组，放入扩散炉；5.扩散炉内通入磷源进行磷扩散；6.去除表面磷硅玻璃层。本在完成电池受光面扩散的同时，进行非受光面的磷吸杂，可以明显的提高太阳电池的开路电压，达到提高效率的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 型晶硅 太阳电池 双面 扩散 方法 | ||
【主权项】：
一种P型晶硅太阳电池双面扩散方法，包括以下步骤：步骤一，晶硅表面制绒；步骤二，非受光面印刷磷浆；步骤三，烘干；步骤四，非受光面面对面紧贴，两两一组，放入扩散炉；步骤五，扩散炉内通入磷源进行磷扩散；步骤六，去除表面磷硅玻璃层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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