[发明专利]穿硅通孔与其形成方法有效
| 申请号： | 201210128469.4 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN103378059A | 公开（公告）日： | 2013-10-30 |
| 发明（设计）人： | 陈逸男;徐文吉;叶绍文;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种穿硅通孔，包含有基底、第一开孔、第二开孔、第一导电层以及第二导电层。基底具有第一表面以及第二表面。第一开孔设置在基底的第一表面的一侧。第二开孔，设置在基底的第二表面的一侧，第一开孔与第二开孔连接。第一导电层设置在第一开孔中。第二导电层设置在第二开孔中。本发明还公开了一种穿硅通孔的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 穿硅通孔 与其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种形成穿硅通孔的方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有第一表面以及第二表面；在所述基底的所述第一表面的一侧形成第一开孔，并以第一导电层填满所述第一开孔；从所述基底的所述第二表面的一侧进行薄化工艺，使所述基底薄化至预定厚度；以及在所述基底的所述第二表面的一侧形成第二开孔，并以第二导电层填满所述第二开孔，且所述第二导电层电性连接所述第一导电层。
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