[发明专利]一种高亮度发光二极管及其制备方法有效
申请号: | 201210128530.5 | 申请日: | 2012-04-28 |
公开(公告)号: | CN103219440A | 公开(公告)日: | 2013-07-24 |
发明(设计)人: | 罗文欣;孙明;庄文荣;林志强;钟馨苇;张奇夫 | 申请(专利权)人: | 江苏汉莱科技有限公司 |
主分类号: | H01L33/20 | 分类号: | H01L33/20;H01L33/46;H01L33/64 |
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地址: | 213164 江苏省常州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种高亮度发光二极管及其制备方法,对发光二级管及其制备工艺进行了改进,通过减薄蓝宝石基板的厚度,并对蓝宝石基板磊晶面和背面进行图形化处理,蓝宝石背面为圆弧镜面(Roundmirror)反射结构层,增加半导体内部光线的反射比例,可提升光萃取效率。同时减少蓝宝石基板的厚度,图形化后的衬底增加了其与金属氧化层的接触面积,可增强芯片散热能力,同时改善外部与内部量子效应,达到大面积芯片更佳的可靠度和发光二极管高出光效率的目的。 | ||
搜索关键词: | 一种 亮度 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种高亮度发光二极管,其特征在于蓝宝石基板的磊晶面与背面均经微米图形化处理,并且图形化的背面镀有金属氧化反射层及金属反射散热层。
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