[发明专利]避免籽晶缺陷外延到新生长层的氧化锌单晶生长方法无效
| 申请号： | 201210128674.0 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102644103A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 林文文;黄丰;陈达贵;黄顺乐;林钟潮;黄嘉魁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B7/10 | 分类号： | C30B7/10;C30B29/16 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提供一种避免籽晶缺陷外延到新生长层的氧化锌单晶生长方法。该方法将有裂纹或凹坑的ZnO籽晶晶面上镀上一层平整的金属膜，然后将籽晶放置于水热生长设备中进行生长。这种处理方法可确保籽晶上的缺陷无法外延到新的晶体生长层，新的晶体生长层结晶质量得到大幅度的提高。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 籽晶 缺陷 外延 生长 氧化锌 方法 | ||
【主权项】：
避免籽晶缺陷外延到新生长层的氧化锌单晶生长方法，其特征在于：将有裂纹或凹坑的ZnO籽晶晶面上镀上一层平整的金属膜，然后将籽晶放置于水热生长设备中进行生长。
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