[发明专利]用于非易失性存储器的读出放大电路及存储器有效

专利信息
申请号: 201210128867.6 申请日: 2012-04-27
公开(公告)号: CN103377708A 公开(公告)日: 2013-10-30
发明(设计)人: 周泉;马庆容;沈晔晖;刘岐;倪成峰;俞惠芬 申请(专利权)人: 上海复旦微电子集团股份有限公司
主分类号: G11C16/26 分类号: G11C16/26;G11C7/06
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 骆苏华
地址: 200433 上海市杨浦区*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 一种用于非易失性存储器的读出放大电路及存储器。所述读出电路包括:多位存储单元构成的基本物理单元,各位存储单元对应连接于各自的读出位线;基本物理单元经由第一选通管选通;与基本物理单元布局相同、由多位基准单元构成的基准单元组,其中各基准单元与各位存储单元一一对应,对应连接于各自的基准电压线,并且与对应各位存储单元的结构完全相同;所述基准单元组经由第二选通管选通;所述第二选通管与第一选通管的结构完全相同;读出放大器,连接上述多根读出位线及基准电压线,根据各读出位线与其对应的基准电压线上电压的比较结果,输出相应的读出数据。所述读出放大电路可以提高读取存储器时的数据读出速度。并且,可延长存储器的使用寿命。
搜索关键词: 用于 非易失性存储器 读出 放大 电路 存储器
【主权项】:
一种读出放大电路,其特征在于,包括:多位存储单元构成的基本物理单元,各位存储单元对应连接于各自的读出位线;所述基本物理单元经由第一选通管选通;与所述基本物理单元布局相同、由多位基准单元构成的基准单元组,其中各基准单元与各位存储单元一一对应,对应连接于各自的基准电压线,并且与对应各位存储单元的结构完全相同;所述基准单元组经由第二选通管选通;所述第二选通管与第一选通管的结构完全相同;读出放大器,连接上述多根读出位线及基准电压线,根据各读出位线与其对应的基准电压线上电压的比较结果,输出相应的读出数据;其中,所述基准单元包括:所述基准单元包括串联的第一选择管和第一基准管,所述第一选择管接收控制信号,所述第二选通管接收控制信号以控制所述第一基准管的选通,所述第一基准管具有控制栅和浮栅层叠的栅极结构,所述控制栅和浮栅均接收偏置电压,且所述第一基准管接地;所述控制信号有效时,所述第一选择管和第一基准管被选通,所述第一基准管基于所述偏置电压产生基准电压,并经由第一选择管输出基准电压。
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