[发明专利]制造金属氧化物半导体存储器的方法

摘要

本发明涉及一种制造金属氧化物半导体存储器的方法。于半导体基底的多个有源区上形成隧穿层、位于隧穿层上的多个浮置栅极、位于多个浮置栅极上的垫层、和围绕有源区的沟槽。形成第一氧化物层，使它填满沟槽和多个浮置栅极两两间的空间。将垫层移除。于多个浮置栅极上和第一氧化物层上形成氧化物-氮化物-氧化物层(简称ONO层)。于ONO层上依序形成控制栅极材料层及栅极导体层。对栅极导体层、控制栅极材料层、和氧化物-氮化物-氧化物层通过图形化的硬掩模进行蚀刻，以于多个浮置栅极上形成和多个有源区相交的多个栅极导体线和多个控制栅极线。如此，ONO层不沿着浮置栅极侧壁形成，所以没有栏状突出物的问题。

主权项

一种制造金属氧化物半导体存储器的方法，其特征在于包括：提供半导体基底，该半导体基底包括多个有源区；于该半导体基底的该多个有源区上形成隧穿层、位于隧穿层上的多个浮置栅极、位于该多个浮置栅极上的垫层、和围绕有源区的沟槽；形成第一氧化物层，该第一氧化物层填满该沟槽和该多个浮置栅极两两间的空间；将该垫层移除；于该多个浮置栅极上和该第一氧化物层上形成氧化物‑氮化物‑氧化物层；于该氧化物‑氮化物‑氧化物层上依序形成控制栅极材料层及栅极导体层；以及对该栅极导体层、该控制栅极材料层、和该氧化物‑氮化物‑氧化物层通过图形化的硬掩模进行蚀刻，以于该多个浮置栅极上形成和该多个有源区相交的多个栅极导体线和多个控制栅极线。