[发明专利]用于超导磁体的磁屏蔽材料无效
| 申请号： | 201210129180.4 | 申请日： | 2012-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN102758105A | 公开（公告）日： | 2012-10-31 |
| 发明（设计）人： | 都丸隆行;佐佐木宪一;星河浩介;田渊宏 | 申请（专利权）人： | 大学共同利用机关法人高能加速器研究机构;住友化学株式会社 |
| 主分类号： | C22C21/00 | 分类号： | C22C21/00;H01F5/00;H01F7/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 程金山 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供用于超导磁体的磁屏蔽材料。本发明提供了一种磁屏蔽材料，所述磁屏蔽材料可以通过即使在例如77K以下的低温在1T以上的磁通量密度的强磁场中也具有优异的电导率从而减小厚度。在77K以下的低温在1T以上的磁通量密度的磁场中使用的磁屏蔽材料包含具有99.999质量％以上的纯度的铝。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 超导 磁体 屏蔽 材料 | ||
【主权项】：
一种在77K以下的低温在1T以上的磁通量密度的磁场中使用的磁屏蔽材料，所述磁屏蔽材料包含具有99.999质量％以上纯度的铝。
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