[发明专利]发光元件有效
申请号: | 201210129336.9 | 申请日: | 2012-04-27 |
公开(公告)号: | CN103378254B | 公开(公告)日: | 2017-07-21 |
发明(设计)人: | 陈世益;陈威佑;陈怡名;林敬倍;李宗宪 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台湾新竹科*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 一种发光元件,包括一发光叠层,包括一第一电性半导体层;一活性层位于第一电性半导体层之上;以及一第二电性半导体层位于活性层之上;一导电层位于第一电性半导体层之下,具有一宽度大于第一电性半导体层的宽度,包括与第一电性半导体层重叠的一第一重叠部及未与该第一电性半导体层重叠的一第一延伸部;一透明导电层位于第二电性半导体层之上,具有一宽度大于第二电性半导体层的宽度,包括与第二电性半导体层重叠的一第二重叠部及未与第二电性半导体层重叠的一第二延伸部;一第一电极大致只与第一延伸部或第一延伸部的一部份相接;以及一第二电极大致只与第二延伸部或第二延伸部的一部份相接。本发明的发光元件具有可增加光取出的优点。 | ||
搜索关键词: | 发光 元件 | ||
【主权项】:
一种发光元件,其特征在于,包括:一发光叠层,具有一长度与一宽度,包括:一第一电性半导体层;一活性层位于该第一电性半导体层之上;以及一第二电性半导体层位于该活性层之上;一导电层位于该第一电性半导体层之下,具有一宽度大于该发光叠层的宽度,包括与该第一电性半导体层重叠的一第一重叠部及未与该第一电性半导体层重叠的一第一延伸部;一透明导电层位于该第二电性半导体层之上,具有一宽度大于该发光叠层的宽度,包括与该第二电性半导体层重叠的一第二重叠部及未与该第二电性半导体层重叠的一第二延伸部;一第一电极大致与该第一延伸部相接且不与该第一重叠部相接;以及一第二电极大致与该第二延伸部相接且不与该第二重叠部相接,其中,该第一延伸部向平行于该发光叠层之宽度的第一方向延伸,该第二延伸部向平行于该发光叠层之宽度的第二方向延伸,该第一方向与该第二方向相反。
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