[发明专利]抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法及转印掩模的制造方法有效
申请号: | 201210129722.8 | 申请日: | 2007-05-29 |
公开(公告)号: | CN102681332A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 堀井克彦;浅川敬司 | 申请(专利权)人: | HOYA株式会社 |
主分类号: | G03F1/26 | 分类号: | G03F1/26;G03F1/46;G03F7/42 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 蒋亭 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于提供对于在基板上形成了成为转印图案的转印图案用薄膜和抗蚀剂膜的掩模基板能仅剥离抗蚀剂膜而再利用转印图案用薄膜和基板的抗蚀剂膜剥离方法、掩模基板的制造方法以及转印掩模的制造方法。其采用以下构成:对于在基板(11)上形成了遮光膜(12)以及曝光、显影前的抗蚀剂膜(14)的掩模基板(1),当出现抗蚀剂膜(14)的膜厚不均大等不良现象时,或者因在掩模基板(1)的状态下长期保存而使抗蚀剂膜(14)的灵敏度发生变化时,进行使抗蚀剂膜(14)与臭氧水接触而将抗蚀剂膜(14)剥离的臭氧水处理。并且,再次形成抗蚀剂膜(14),再利用基板(11)和遮光膜(12)。 | ||
搜索关键词: | 抗蚀剂膜 剥离 方法 掩模基板 制造 转印掩模 | ||
【主权项】:
一种抗蚀剂膜剥离方法,其中从下述的掩模基板将抗蚀剂膜剥离,所述掩模基板具有基板、形成于该基板上的成为转印图案的转印图案用薄膜和形成于该转印图案用薄膜上的抗蚀剂膜,其特征在于,根据所述掩模基板的显影前的抗蚀剂膜的灵敏度改变、抗蚀剂膜表面的缺陷或者抗蚀剂膜的涂布异常来判断掩模基板为不合格或者不能用作掩模基板使用时,进行使臭氧溶解而成的臭氧水与所述显影前的抗蚀剂膜接触而使该抗蚀剂膜溶解的臭氧水处理,由此将形成于所述掩模基板的显影前的抗蚀剂膜剥离。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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