[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201210129980.6 | 申请日： | 2012-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN102751329A | 公开（公告）日： | 2012-10-24 |
| 发明（设计）人： | 大宅大介;中村胜光 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 臧霁晨;卢江 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 半导体装置。稳定板部(33)形成于由第1和第2绝缘栅型场效晶体管部(32)所夹的第1主面(1A)的区域。稳定板部(33)包含：最靠近第1绝缘栅型场效晶体管部(32)配置的第1稳定板(5b)；和最靠近第2绝缘栅型场效晶体管部(33)配置的第2稳定板(5b)。发射极电极(11)与第1和第2绝缘栅型场效晶体管部(32)的各个发射极区域(3)电连接，并且与第1和第2稳定板(5b)分别电连接，而且隔着绝缘层(4b)配置在由第1和第2稳定板(5b)所夹的第1主面(1A)的整个面上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，具备：半导体基板，具有彼此对向的第1主面和第2主面；第1和第2绝缘栅型场效晶体管部，分别在所述第1主面侧具有绝缘栅结构，并且具有在所述第1主面形成的第1导电型发射极区域，且用于在所述第1主面和所述第2主面之间流过主电流；稳定板部，形成于由所述第1和第2绝缘栅型场效晶体管部所夹的所述第1主面的区域；以及发射极电极，设置在所述第1主面上，其中，所述稳定板部包含：最靠近所述第1绝缘栅型场效晶体管部配置的第1稳定板；和最靠近所述第2绝缘栅型场效晶体管部配置的第2稳定板，所述发射极电极与所述第1和第2绝缘栅型场效晶体管部各自的所述发射极区域电连接，并且与所述第1和第2稳定板分别电连接，而且隔着绝缘层配置在由所述第1和第2稳定板所夹的所述第1主面的整个面上。
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