[发明专利]半导体装置及电子设备有效
| 申请号： | 201210130042.8 | 申请日： | 2008-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN102646698A | 公开（公告）日： | 2012-08-22 |
| 发明（设计）人： | 大沼英人;饭洼阳一;山本孔明;牧野贤一郎;下村明久;比嘉荣二;沟井达也;永野庸治;井坂史人;挂端哲弥;山崎舜平 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/04 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张金金;卢江 |
| 地址： | 日本神奈*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 电子设备 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：绝缘衬底上的绝缘层；所述绝缘层上的接合层；以及所述接合层上的单晶半导体层，其中，所述单晶半导体层的上部表面的凹凸形状的均方根粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于10nm。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所，未经株式会社半导体能源研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201210130042.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种布匹验卷机
- 下一篇：用于非易失性内存的数据写入方法、控制器与储存装置
- 同类专利
- 专利分类
