[发明专利]绝缘栅双极晶体管及其制作方法

摘要

本发明提供一种绝缘栅双极晶体管及其制作方法，该晶体管至少包括：集电极、半导体衬底、漂移区、两个体区、两个发射区、栅区域、隔离结构、绝缘埋层、发射极；其中，各该体区分别位于各该发射区与漂移区之间，栅区域位于各该体区及其之间的沟道之上并与各该发射区接触，隔离结构覆盖于栅区域表面以及各该发射区和各该体区的上表面，绝缘埋层位于隔离结构覆盖区域以外的漂移区上并与各该体区接触，发射极覆盖于所述隔离结构及绝缘埋层表面以使各该发射区和各该体区实现电连接。相较于传统的绝缘栅双极晶体管，本发明正向压降大幅降低，具有更小的通态损耗，更好地以低成本改善其电导调制特性，使本发明成为电力电子系统应用中非常有吸引力的器件。

主权项

一种绝缘栅双极晶体管的制作方法，其特征在于，该方法至少包括以下步骤：1)提供一重掺杂第一导电类型半导体衬底，在所述半导体衬底上形成轻掺杂第二导电类型的外延层，并在所述外延层上制作栅区域；2)在所述栅区域周围制作隔离结构，使其覆盖所述栅区域的表面；3)在所述隔离结构两侧的外延层中分别形成两个重掺杂第二导电类型区和两个第一导电类型区，剩余的所述外延层作为漂移区；其中，所述隔离结构每侧各有一个重掺杂第二导电类型区和一个第一导电类型区，且所述的第一导电类型区位于重掺杂第二导电类型区和漂移区之间；4)将所述隔离结构每侧的重掺杂第二导电类型区和第一导电类型区分别向内延伸至所述栅区域下方，进一步将所述重掺杂第二导电类型区与漂移区隔开；5)刻蚀所述隔离结构覆盖区域以外的部分重掺杂第二导电类型区和部分第一导电类型区形成沟槽，直至暴露出其下的所述漂移区的上表面，被保留的重掺杂第二导电类型区和第一导电类型区形成重掺杂第二导电类型发射区和第一导电类型体区；6)在所述沟槽内暴露的漂移区上形成绝缘埋层，所述绝缘埋层与所述的漂移区和第一导电类型体区接触；7)制作发射极，使其覆盖在所述隔离结构和绝缘埋层的表面，且使其同时与所述隔离结构覆盖的各该发射区和各该体区接触，以使位于所述漂移区上方两侧的各该发射区和各该体区电连接；8)在所述半导体衬底下制作集电极。