[发明专利]垂直式发光器件及其制作方法有效
申请号: | 201210130389.2 | 申请日: | 2012-04-28 |
公开(公告)号: | CN102637681A | 公开(公告)日: | 2012-08-15 |
发明(设计)人: | 曾晓强;陈顺平;黄少华;潘群峰;吴志强 | 申请(专利权)人: | 厦门市三安光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/075 | 分类号: | H01L25/075;H01L33/62;H01L33/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 361009 福建省厦*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本发明公开了一种垂直式高压发光器件以及其制作方法,通过区域激光剥离及管芯键合等手段将相邻的两个发光二极管极性翻转,并且该极性翻转的两个二极管置于含有键合金属层的绝缘衬底之上,同时于发光器件表面分布连线,从而单个LED单元呈垂直结构,多个LED串联形成高压LED,以解决横向结构发光效率低,热阻大等问题。 | ||
搜索关键词: | 垂直 发光 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
垂直式发光器件,其包括:绝缘基板,其包括正、反两个主表面,正表面上分布有键合金属层单元阵列;发光模块,形成于所述第一基板的正表面上,包含复数个发光单元,发光单元与键合金属层单元一一对应;每个发光单元由两个反向并排的发光二极管构成,两者之间相互隔离,并通过键合金属层串联;其中第一发光二极管至上而下包含p型体,有源区,n型层,第二发光二极管至上而下包括n型层,有源区,p型层;导电结构,将所述复数个发光单元串联起来,其中各个发光单元的第一个发光二极管和与其相邻的发光单元的第二个发光二极管连接。
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