[发明专利]曲面频率选择面激光刻蚀方法有效
申请号: | 201210130958.3 | 申请日: | 2012-04-27 |
公开(公告)号: | CN102683790A | 公开(公告)日: | 2012-09-19 |
发明(设计)人: | 施锦文;田步宁;薛兆璇;王旭东 | 申请(专利权)人: | 西安空间无线电技术研究所 |
主分类号: | H01P11/00 | 分类号: | H01P11/00;H01P1/20;H01Q15/22;B23K26/36 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 庞静 |
地址: | 710100 陕*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明提供了曲面频率选择面激光刻蚀方法,所述的激光刻蚀方法首先需要建立曲面频率选择面激光刻蚀输入模型,然后将建立的曲面频率选择面激光刻蚀输入模型输入至激光刻蚀系统,作为激光头行进的依据,由激光头进行刻蚀;本发明克服现有技术的不足具有不破坏频率选择单元周期结构的特点。通过在反射器中心位置处作切平面T,用若干平行的平面垂直于T切割反射器,形成的交线可以近似认为是圆上的一段。以交线为母线可以将频率选择单元环周期性的排列并进行投影,从而建立起激光刻蚀所需要的输入模型。 | ||
搜索关键词: | 曲面 频率 选择 激光 刻蚀 方法 | ||
【主权项】:
曲面频率选择面激光刻蚀方法,所述的激光刻蚀方法首先需要建立曲面频率选择面激光刻蚀输入模型,然后将建立的曲面频率选择面激光刻蚀输入模型输入至激光刻蚀系统光头,作为激光头行进的依据,由激光头进行刻蚀;其特征在于:所述的建立曲面频率选择面激光刻蚀输入模型的步骤如下:(1)在反射器的母线上间隔性的选取母线基点,定义为A1~An,基点A1位于反射器的中央位置,基点间距为反射器相邻频率选择单元环的圆心距;(2)在基点A1处作反射器的切平面T,用分别通过基点A1~An的相互平行的平面垂直于切平面T切割反射器,所得的交线记为Li,i=1~n;(3)将上述步骤(2)中的每一条交线分别进行如下处理:选取每条交线Li的中心点及两端点,并以该三点为基础作圆,确定圆半径Ri,以半径Ri为母线作锥形圆环带,该锥形圆环带在Ai点与反射器的母线相切,锥形圆环带的宽度大于反射器频率选择单元环的直径;(4)在步骤(3)确定的n条锥形圆环带上排列频率选择单元环,频率选择单元环的间距与步骤(1)中基点间距相同;(5)将所有锥形圆环带上的频率选择单元环沿反射器的法线投影到反射器上,得到激光刻蚀输入模型。
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