[发明专利]一种低衰减弯曲不敏感单模光纤有效

专利信息
申请号: 201210131418.7 申请日: 2012-05-02
公开(公告)号: CN102645699A 公开(公告)日: 2012-08-22
发明(设计)人: 张磊;龙胜亚;杨晨;王瑞春;拉吉·马泰 申请(专利权)人: 长飞光纤光缆有限公司
主分类号: G02B6/036 分类号: G02B6/036
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 胡建平
地址: 430073 *** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种光纤通信系统中使用的低衰减弯曲不敏感单模光纤,包括有芯层和三个包层,其特征在于芯层的相对折射率差Δ1为0.1%~0.30%,半径R1为3.5μm~4.5μm,芯层外有三个包层,第一包层为紧密围绕芯层的内包层,其相对折射率差Δ2为0.1%~-0.1%,半径R2为8μm~10μm,第二包层为下陷包层,紧密围绕内包层,其相对折射率差Δ3为-0.4%~-0.1%,且Δ3小于Δ2,半径R3为12μm~20μm,第三包层为外包层,紧密围绕下陷包层的所有分层,相对折射率差Δ4为-0.20%~0.1%。本发明在全面兼容现有G.652标准的基础上,拥有远远优于常规G.652.D光纤的衰减性能,可满足G.657.A1标准的宏观弯曲要求,有利于密集波分复用系统的应用。
搜索关键词: 一种 衰减 弯曲 敏感 单模 光纤
【主权项】:
一种低衰减弯曲不敏感单模光纤,包括有芯层和三个包层,其特征在于芯层的相对折射率差Δ1为0.1%~0.30%,半径R1为3.5μm~4.5μm,芯层外有三个包层,第一包层为紧密围绕芯层的内包层,其相对折射率差Δ2为0.1%~‑0.1%,半径R2为8μm~10μm,第二包层为下陷包层,紧密围绕内包层,其相对折射率差Δ3为‑0.4%~‑0.1%,且Δ3小于Δ2,半径R3为12μm~20μm,第三包层为外包层,紧密围绕下陷包层的所有分层,相对折射率差Δ4为‑0.20%~0.1%。
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