[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

提供了一种半导体器件及其制造方法。高压晶体管包括：第一杂质层；形成于所述第一杂质层内部的第二杂质层，以便将所述第二杂质层置于其间；形成于所述第一杂质层内部的第三杂质层和第四杂质层的配对；第五杂质层，从所述第一杂质层的最上表面形成至所述第一杂质层的内部以便在布置所述第二杂质层的方向上沿着所述主表面突出；以及导电层，形成于所述第二杂质层的最上表面上方。所述第四杂质层中的杂质浓度高于所述第三杂质层和所述第五杂质层中的杂质浓度，并且所述第五杂质层中的杂质浓度高于所述第三杂质层中的杂质浓度。

主权项

一种具有高压晶体管的半导体器件，其中，所述高压晶体管均包括：半导体衬底，具有主表面；第一杂质层，形成于所述半导体衬底的主表面之上；第二杂质层，形成于所述第一杂质层的内部；第三杂质层的配对，形成于所述第一杂质层内部以便将所述第二杂质层置于其间；第四杂质层，形成于所述第三杂质层的配对中的每一个的内部；第五杂质层，从所述第一杂质层的最上表面形成至所述第一杂质层的内部以便在布置所述第二杂质层的方向上从所述第三杂质层中的至少一个沿着所述主表面突出；以及导电层，形成于所述最上表面之上以便在平面视图中至少部分与所述第二杂质层重叠；其中，所述第四杂质层中的杂质浓度高于所述第三杂质层和所述第五杂质层中的杂质浓度，以及其中，所述第五杂质层中的杂质浓度高于所述第三杂质层中的杂质浓度。