[发明专利]真空成膜方法和由该方法得到的层积体有效

专利信息
申请号: 201210132151.3 申请日: 2012-04-28
公开(公告)号: CN102758190B 公开(公告)日: 2017-07-25
发明(设计)人: 梨木智刚;坂田义昌;菅原英男;家仓健吉;滨田明;伊藤喜久;石桥邦昭 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C23C14/56 分类号: C23C14/56;C23C14/54;B32B15/04
代理公司: 北京市柳沈律师事务所11105 代理人: 岳雪兰
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 提供一种真空成膜方法和由该方法得到的层积体,在卷对卷技术中进一步谋求作业的高效化或者改善。是对长形基材进行连续真空成膜的方法,具备沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向将卷绕成卷筒状的长形基材从第一辊室抽出的阶段、将沿第一方向抽出的基材进行脱气的阶段、在第二成膜室将第二膜材料在被脱气的基材的面上进行成膜的阶段、将成膜有第二膜材料的基材在第二辊室进行卷绕的阶段、沿从第二辊室朝向第一辊室的第二方向将在第二辊室卷绕的基材从第二辊室抽出的阶段、在第一成膜室将第一膜材料在沿第二方向抽出的基材的面上进行成膜的阶段、将在第二膜材料上层积有第一膜材料的基材在第一辊室卷绕的阶段。
搜索关键词: 真空 方法 得到 层积
【主权项】:
一种成膜方法,是对长形基材进行连续真空成膜而制造膜材料的层积体的方法,其特征在于,具备:(a)沿从第一辊室朝向第二辊室的第一方向将卷绕成卷筒状的长形基材从所述第一辊室抽出的阶段,(b)对沿所述第一方向抽出的所述基材进行脱气的阶段,(c)在第二成膜室,在被脱气的所述基材的面上将第二膜材料成膜的阶段,(d)在所述第二辊室,卷绕成膜有所述第二膜材料的所述基材的阶段,(e)沿从所述第二辊室朝向所述第一辊室的第二方向,将在所述第二辊室卷绕的所述基材从所述第二辊室抽出的阶段,(f)在第一成膜室,在沿所述第二方向抽出的所述基材的所述面上被成膜的第二膜材料上将第一膜材料成膜的阶段,(g)在所述第一辊室,卷绕在所述第二膜材料上层积有所述第一膜材料的所述基材的阶段,在第二成膜室,在沿所述第一方向抽出的所述基材的所述面上将第二膜材料成膜时,将支承所述第一膜材料标靶的所述第一成膜室的第一阴极电极从所述第一成膜室取出,在第一成膜室,在沿所述第二方向抽出的所述基材的所述面上成膜了的所述第二膜材料上,将第一膜材料成膜时,将支承所述第二膜材料标靶的所述第二成膜室的第二阴极电极从所述第二成膜室取出。
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